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Aparato de cuarzo Cuarzo fundido Portador de obleas semiconductoras ultrafinas

  • Quartz Apparatus Fused Quartz Semiconductor Wafer Carrier Ultra Thin
  • Quartz Apparatus Fused Quartz Semiconductor Wafer Carrier Ultra Thin
Lugar de origen Shandong
Nombre de la marca ZKTD
Certificación SGS, ISO
Número de modelo Producción original
Cantidad de orden mínima 1 PCS
Precio USD 50-150 /Pcs
Detalles de empaquetado Caja de madera, cartones, algodón perlado
Tiempo de entrega 5 a 8 días hábiles
Condiciones de pago Las tarifas de los productos incluidos en el anexo I se aplicarán a los productos incluidos en el an
Capacidad de la fuente 100 piezas / semana
Datos del producto
Tamaño OEM Cantidad mínima de pedido 1 Uds.
Nombre Portador de obleas de semiconductores
Resaltar

portador de la oblea de semiconductor del cuarzo fundido

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portador ultra fino de la oblea de semiconductor

,

portador ultra fino de la oblea de silicio del semiconductor
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Descripción de producto

Aparatos de cuarzo Fusionado Cuarzo semiconductor portador de obleas Ultra delgado


Características del producto:

Limpios y limpios,

Alta homogeneidad

Resistente a altas temperaturas

Alta transmisión de la luz

Ataque químico


Temperatura de trabajo:

Temperatura de trabajo regular: 1000°C

Temperatura de trabajo a corto plazo:1100°C

temperatura máxima de trabajo instantánea:1300°C


Propiedad mecánica:

Propiedad mecánica Valor de referencia Propiedad mecánica Valor de referencia
Densidad 2.203 g/cm3 Indice de refracción 1.45845
Fuerza de compresión. >El valor de las emisiones de CO2 Coeficiente de expansión térmica 5.5×10-7 cm por centímetro.°C
Resistencia a la flexión El contenido de CO2 Temperatura de trabajo en caliente 1750 ~2050°C
Resistencia a la tracción 48.3Mpa La temperatura durante un corto tiempo 1300°C
La proporción de Poisson 0.14 ~0.17 La temperatura durante mucho tiempo 1100°C
Modulo elástico Las demás partidas de la caja de carga Resistencia 7×107Ω.cm
Módulo de afeitado El valor de las emisiones es el siguiente: Resistencia dieléctrica 250 ~400Kv/cm
Dureza de las polillas 5.3 ~6.5(Escala de polillas) Constante dieléctrica 3.7 ~3.9
Punto de deformación 1280°C Coeficiente de absorción dieléctrica El valor de las emisiones de CO2
Calor específico350°C) 670 J/kg°C Coeficiente de pérdida dieléctrica El valor de las emisiones de CO2
Conductividad térmica°C) 1.4 W/m°C


Aparato de cuarzo Cuarzo fundido Portador de obleas semiconductoras ultrafinas 0

Aparato de cuarzo Cuarzo fundido Portador de obleas semiconductoras ultrafinas 1

Etiquetas:

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