Base terminal de los productos del cuarzo del aparato del cuarzo del color blanco lechoso para el semiconductor

Lugar de origen CHINA
Nombre de la marca ZKTD
Certificación SGS, ISO 9001
Número de modelo ZKTD
Cantidad de orden mínima 1 Uds.
Precio USD 50-150 Pcs or as negotiated
Detalles de empaquetado Caja de madera, Algodón perlado, Cartón
Tiempo de entrega 5-8 días de trabajo
Condiciones de pago LC, D/A, D/P, T/T
Capacidad de la fuente 100 PCS / DÍA
Datos del producto
Material Requerido Tolerancia ± 0.1
Cantidad mínima de pedido 1 Uds. Forma Personalizado
Temperatura caliente del trabajo 1750 ∼2050°C
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Descripción de producto

Quartz blanco lechoso Aparatos productos de cuarzo Base terminal para semiconductores 


Semiconductor: el cristal de cuarzo es un material indispensable en el proceso de producción de materiales y dispositivos semiconductores, como crisol para crecer germanio, cristales simples de silicio,Tubos de núcleo de horno de barco y tarros de campana, etc., todos necesitan ser usados.


Características del producto:

Limpia y limpia,

Homogeneidad alta

Resistente a altas temperaturas

Alta transmisión de luz

Ataque antiquímico


Temperatura de trabajo:

Temperatura de trabajo regular: 1000°C

Temperatura de trabajo a corto plazo:1100°C

Instant max temperatura de trabajo:1300°C


Propiedad mecánica:

Propiedad mecánica Valor de referencia Propiedad mecánica Valor de referencia
Densidad 2.203 g/cm3 Indice de refracción 1.45845
Fuerza de compresión >1100Mpa también Coeficiente de expansión térmica 5.5×10-7cm/cm. Eso es todo.°C
Resistencia a la flexión 67Mpa también Temperatura de trabajo caliente 1750 ~2050°C
Resistencia a la tracción 48.3Mpa La temperatura durante un corto tiempo 1300°C
La proporción de Poisson 0- ¿Qué es eso?0.17 La temperatura durante mucho tiempo 1100°C
Modulo elástico 71700Mpa también Resistencia 7×107Ω.cm
Modulo de afeitado 31000Mpa Resistencia dieléctrica 250 ~400Kv/cm
La dureza de las polillas 5- ¿Qué es eso?6.5(Escala de las polillas) Constante dieléctrica 3¿Qué es eso?3.9
Punto de deformación 1280°C coeficiente de absorción dieléctrica < 4 por 104
Calor específico350°C) 670 J/kg°C coeficiente de pérdida dieléctrica < 1 × 104
Conductividad térmica°C) 1.4 W/m°C

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