Base blanca lechosa del teléfono de los productos del cuarzo para el semiconductor

Lugar de origen CHINA
Nombre de la marca zcq
Certificación SGS,ISO
Número de modelo ZCQ
Cantidad de orden mínima 1
Precio USD 50-150 PCS
Detalles de empaquetado Caja de madera
Tiempo de entrega 5-8 semana
Condiciones de pago L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente 100000pcs por día

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Datos del producto
Material Cuarzo fundido Tamaño OEM
Tolerancia ±0.1 MOQ 1PCS
Forma Modificado para requisitos particulares nombre Base blanca lechosa del teléfono de los productos del cuarzo para el semiconductor
Alta luz

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Descripción de producto

Uso bajo del teléfono del cuarzo blanco lechoso para el semiconductor

 

Semiconductor: El vidrio de cuarzo es un material imprescindible en el proceso de producción de los materiales y los dispositivos del semiconductor, tales como crisoles para el germanio creciente, cristales del silicio los solos, los tubos y las campanas de cristal, etc., toda la necesidad de base del horno del barco de ser utilizado.

 

Características de productos:

Claro y limpio,

Alta homogeneidad

Resistente de alta temperatura

Alta transmisión ligera

Ataque anti de la química

 

Temperatura de trabajo:

Temperatura de trabajo regular: °C 1000

Temperatura de trabajo para a corto plazo: 1100°C

temperatura máxima de trabajo inmediata: 1300°C

 

Propiedad mecánica:

Propiedad mecánica Valor de referencia Propiedad mecánica Valor de referencia
Densidad 2.203g/cm3 Índice de refracción 1,45845
Fuerza compresiva >1100Mpa Coeficiente de extensión termal 5.5×10-7cm/cm.°C
Resistencia de flexión 67Mpa Temperatura caliente del trabajo 1750~2050°C
Resistencia a la tensión 48.3Mpa La temperatura por poco tiempo °C 1300
El ratio de Poisson 0.14~0.17 La temperatura durante mucho tiempo °C 1100
Módulo de elástico 71700Mpa Resistencia los 7×107Ω.cm
Módulo de corte 31000Mpa Fuerza dieléctrica los 250~400Kv/cm
Dureza de las polillas 5.3~6.5 (escala de las polillas) Constante dieléctrica 3.7~3.9
Punto de la deformación °C 1280 Coeficiente de absorción dieléctrica <4>
Calor específico (20~350°C) °C 670J/kg Coeficiente de pérdida dieléctrica <1>
Conductividad termal (°C) 20 °C del 1.4W/m  

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